在DRAM与Flash存储器市场需求强劲，存储器业者纷纷扩大产能拉抬下，IC Insights预估，2018全年全球半导体业者资本支出将再度成长9%，首度超越1000亿美元，达1020亿美元，续创历史新高。

其中投入在Flash存储器与非挥发性存储器(NV)产品的资本支出成长13%，达311亿美元，占所有半导体产品资本支出的31%。DRAM/SRAM存储器产品资本支出年增41%，达229亿美元，占22%。

合计2018年全球整体存储器产品资本支出金额为540亿美元，占所有半导体产品资本支出的53%，双创近年新高。2013~2018年整体存储器产品资本支出金额年复合成长率为30%。

虽然2018年Flash/NV存储器，与DRAM/SRAM存储器产品资本支出续呈大幅成长，但相较于2017年，上述两类产品资本支出年增幅度已开始放缓。资料显示，2017年Flash/NV存储器，与DRAM/SRAM存储器资本支出分别成长91%与82%。

除存储器产品，2018年全球微处理器(MPU)与微控制器(MCU)产品资本支出预估也会成长19%，达130亿美元。晶圆代工、类比芯片/其它、逻辑芯片等类资本支出则会分别达217亿美元(年减11%)、79亿美元(年增0%)与55亿美元(年减14%)。

IC Insights表示，历史先例显示，存储器产品过多的资本支出，往往会导致产能过剩和随之而来的价格下滑。由于如三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)、英特尔(Intel)、东芝(Toshiba)/西部数据(WD)、以及长江存储(YMTC)/武汉新芯(XMC)等业者都已计划要在未来几年内大幅提升3D NAND Flash产能，这使得3D NAND Flash供应将会超过市场需求的风险，正在不断升高。